【論文発表】Quantum electrometry in a silicon carbide power device

https://arxiv.org/abs/2603.13836

Quemixの松下らは、シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス内部の電場を高空間分解能で計測する量子センサー手法に関する研究成果を発表しました。

本研究では、SiC中に存在するシリコン空孔（VSi）を量子センサーとして利用し、結晶c軸に平行および垂直な電場成分の双方に対して高感度に応答できる手法を実現しています。これにより、従来困難であったデバイス内部の局所的な電場分布の直接計測が可能となりました。

実際のSiCパワーデバイスに適用した評価では、最大約2.3 MV/cmに達する高電場の検出と、その空間分布の高分解能マッピングを実証しています。

本手法は、パワー半導体デバイスの故障機構の解明や設計最適化への応用が期待されます。