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【雑誌掲載】Practical rule for trimming the DFT-1/2 self-interaction: Band gap, absolute band alignment, and defect properties of semiconductors

  • 執筆者の写真: 田中拓哉
    田中拓哉
  • 9月4日
  • 読了時間: 1分

Quemixの本間らによる論文が、Physical Review B に掲載されました。


本研究では、従来のDFT-1/2法に代えて、結晶構造情報から直接カットオフ半径を決定するパラメータフリーDFT-1/2法を提案しました。これにより追加の自己無撞着計算を必要とせず、半導体のバンドギャップや欠陥準位を効率的かつ高精度に評価できることを示しています。特にシリコン炭化物 (SiC) における点欠陥の解析では、高価なHSE法と同等の精度を実現しました。


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